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技術文章

TECHNICAL ARTICLES

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  • 20108-18
    真空爐的技術特點

    (1)嚴格的真空密封:金屬零件進行真空熱處理均在密閉的真空爐內進行,獲得和維持爐子原定的漏氣率,保證真空爐的工作真空度,對確保零件真空熱處理的質量有著非常重要的意義。所以真空熱處理爐的一個關鍵問題,就是要有可靠的真空密封結構。為了保證真空爐的真空性能,在真空熱處理爐結構設計中必須道循一個基本原則,就是爐體要采用氣密焊接,同時在爐體上盡量少開或者不開孔,少采用或者避免采用動密封結構,以盡量減少真空泄漏的機會。安裝在真空爐體上的部件、附件等如水冷電極、熱電偶導出裝置也都必須設計密...

  • 20108-13
    熱應力

    熱處理殘余力是指工件經熱處理后zui終殘存下來的應力,對工件的形狀,尺寸和性能都有極為重要的影響。當它超過材料的屈服強度時,便引起工件的變形,超過材料的強度極*就會使工件開裂,這是它有害的一面,應當減少和消除。但在一定條件下控制應力使之合理分布,就可以提高零件的機械性能和使用壽命,變有害為有利。分析鋼在熱處理過程中應力的分布和變化規律,使之合理分布對提高產品質量有著深遠的實際意義。例如關于表層殘余應力的合理分布對零件使用壽命的影響問題已經引起了人們的廣泛重視。1.鋼的熱處理應...

  • 20107-29
    真空爐的特點

    (1)水冷裝置,真空熱處理爐的爐殼、爐蓋、電熱元件導別處置(水冷電極)、中間真空隔熱門等部件,均在真空、受熱狀態下工作:在這種極為不利的條件下工作,必須保證各部件的結構不變形、不損壞,真空密封圈不過熱、不燒毀。因此,各部件應該根據不同的情況設置水冷裝置,以保證真空熱處理爐能夠正常運行并有足夠的使用壽命。(2)嚴格的真空密封:金屬零件進行真空熱處理均在密閉的真空爐內進行,因此,獲得和維持爐子原定的漏氣率,保證真空爐的工作真空度,對確保零件真空熱處理的質量有著非常重要的意義。所以...

  • 20107-28
    真空爐的常識

    1.真空爐處理鈦合金時,不宜用氮氣作為冷卻氣體,因為鈦和氮在高溫下反應,形成金黃色的氮化鈦。2.真空爐活動連接部分全部采用O型橡膠圈密封連接,此部分均通水冷卻。3.工件在真空狀態下淬火,應使用真空淬火油,此油具有較低的飽和蒸氣壓。4.真空爐的保養應在真空或充純氮狀態下,避免平時不用時吸氣,吸潮。5.國內真空爐的壓升率應不大于1.33Pa/h,國外某些企業的標準為0.67Pa/h6.真空加熱以輻射為主,工件在爐內應該保持間距。7.升溫過程中,工件及爐內材料會放氣,使真空度下降。...

  • 20107-27
    真空爐的種類

    一.真空感應爐半連續式真空感應爐:坩堝可連續澆幾個模子,不必等爐冷后,再將模子取出相對周期式真空爐而言,不必對加熱室反復抽真空,可使加熱室始終處于真空中,另外不必等爐冷后,再將模子取出,提率。二.真空電阻爐1.外熱式真空爐:(在普通井式爐爐膛中放一個真空爐罐)A.主要進行退火操作,可通過拆去真空管道吊出爐罐進行冷卻,可準備幾個真空爐罐,進行連續操作。2.內熱式真空爐:(爐罐真空,爐罐和爐體之間也是真空)A.特點:可使爐罐內外壓力一致,減少爐罐壁厚B.內熱式:電阻絲懸掛在圓柱形...

  • 20105-25
    氣氛對硅鉬棒的影響

    氣氛對硅鉬棒的影響1、二硅化鉬電熱元件(硅鉬棒)是一種以二硅化鉬為基礎制成的電阻發熱元件,其在氧化氣氛下高溫使用,表面玻化,生成一層光亮致密的石英(SiO2)玻璃膜,能保護硅鉬棒不再氧化,因此硅鉬棒元件具有*的高溫抗氧化性。在氧化氣氛下,元件zui高使用溫度為1800℃,根據用戶需求可制成棒狀,U型、W型、U型直角等形狀。硅鉬棒通常可使用的爐體溫度為1300℃-1800℃,廣泛應用于冶金、玻璃、陶瓷、磁性材料、耐火材料、晶體、電子元器件、窯爐制造等領域、工業高溫爐的加熱元件,...

  • 20105-25
    氣氛對硅碳棒的影響

    氣氛對硅碳棒的影響硅碳棒為非金屬電熱元件,是用高純度綠色六方碳化硅為主要原料,按一定料比加工制坯,經2200℃高溫硅化再結晶燒結而制成的棒狀非金屬高溫電熱元件.正常使用溫度可達1450℃,合理使用條件下,連續使用超過2000小時,在空氣中使用,不需要任何保護氣氛.硅碳棒用途:由于硅碳棒使用溫度高,具有耐高溫、抗氧化,耐腐蝕、升溫快、壽命長、高溫變形小、安裝維修方便等特點。有良好的化學穩定性。若與自動化供電系統配套,既可得到的恒定溫度,又可根據生產工藝的實際需要按曲線自動調溫。...

  • 200910-29
    CVD(Chemical Vapor Deposition, 化學氣相淀積)

    CVD試驗CVD(ChemicalVaporDeposition,化學氣相淀積),指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室,在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經過CVD處理后,表面處理膜密著性約提高30%,防止高強力鋼的彎曲,拉伸等成形時產生的刮痕。CVD特點:淀積溫度低,薄膜成份易控,膜厚與淀積時間成正比,均勻性,重復性好,臺階覆蓋性優良。

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