CVD是化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition）的縮寫，指高溫下的氣相反應，如金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解、氫還原或其混合物氣體在高溫下的化學反應，以沉淀金屬、氧化物、碳化物和其他無機材料。這項技術最初是作為一種涂覆手段開發的，但目前不僅應用于耐熱材料的涂覆，還應用于高純度金屬的精煉、粉末合成、半導體膜等，這是一個頗具特色的技術領域。
CVD管式爐技術特點是：⑴可在低溫下合成高熔點材料；⑵沉淀物質的形式有單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等；⑶它不僅可以涂覆在基材上，也可以涂覆在粉末表面上。特別是在低溫下，它可以合成高熔點的材料，為節能做出了貢獻。作為一項新技術，它具有巨大的前景。 例如，a-Al2O3和SiC可以在約1000℃下合成，并朝著較低的溫度發展。
CVD工藝可分為兩種：一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物在氣相中發生反應；另一種是使加熱基材表面的原料氣體進行熱分解。
CVD裝置由氣化部分、載氣精制部分、反應部分和廢氣處理部分組成。目前，正在開發用于大規模生產的新設備。
CVD在多組分系統的氣相中進行，包括原料氣、反應產生的副產物氣、載氣等。因此，當涂覆時，在加熱的基材和流體之間的邊界上形成擴散層。該層的存在對涂層的密度有很大影響。圖2顯示了該擴散層的示意圖。這樣，雖然存在許多化學分子形成的擴散層，但其沉淀過程是復雜的。在粉末合成過程中，控制核的形成和生長是該過程的關鍵。
作為一種新的CVD技術，有以下幾種：
（1） 具有流動層的CVD；
⑵流化床；
⑶熱解射流；
（4） 等離子CVD；
（5） 真空CVD等。
CVD管式爐的特點
沉積溫度低，膜組成易于控制，膜厚度與沉積時間成正比，均勻性、重復性和臺階覆蓋率良好。
CVD制備的必要條件
1） 在沉積溫度下，反應物具有足夠的蒸汽壓力，并且可以以適當的速度引入反應室；
2） 除形成固體膜材料外，反應產物必須是揮發性的；
3） 沉積的膜和基底材料必須具有足夠低的蒸汽壓。
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